Новенькі? Зареєструватися

Погосов В.В. Основи нанофізики і нанотехнологій / В.В. Погосов, Г.В. Корніч, Є.В. Васютін, К.В. Пугіна, В.І. Кіпріч. – Запоріжжя: Електронний підручник, 2008. – 631 с.

Погосов В.В. Основи нанофізики і нанотехнологій / В.В. Погосов, Г.В. Корніч, Є.В. Васютін, К.В. Пугіна, В.І. Кіпріч. – Запоріжжя: Електронний підручник, 2008. – 631 с.
назва: ОСНОВИ НАНОФІЗИКИ І НАНОТЕХНОЛОГІЙ
автор: Погосов В.В.
рік: 2008
мова: українська
формат: pdf
розмір: 36,48 Mb
код: b106000002
ключові слова: наноелектроніка, квантова точка, кластер, тунельна структура, спектроскопія, кульова блискавка
  • зміст роботи
  • анотація
  • скачати
  • відгуки
Передмова
Вступ. Сучасні напрямки нанотехнологій і наноелектроніки
Корисна таблиця

1 МЕТОД ФУНКЦІОНАЛУ ГУСТИНИ І ЙОГО ЗАСТОСУВАННЯ
1.1 Концепція Хоенберга-Кона-Мерміна
1.2 Модифіковані методи Томаса-Фермі та Хартрі-Фока
1.3 Моделі металу
1.4 Характеристики поверхні
1.5 Аналітичне розкладання енергії
1.6 Варіаційні обчислення плоскої поверхні
1.7 Поверхневий натяг нанокрапельок
1.8 Вакансійні стани позитрона і позитронія
1.9 Тензоємісійний ефект в металевих зразках
Практична частина
Основні питання до розділу

2 ЗАГАЛЬНІ ВІДОМОСТІ ПРО КВАНТОВІ ТОЧКИ І КЛАСТЕРИ
2.1 Утворення острівців за допомогою тунельного мікроскопу
2.2 Експериментальні методи отримання і дослідження кластерів
2.2.1 Методи отримання кластерних пучків
2.2.2 Методи дослідження кластерів
2.3 Задача Релея: Кулонівська нестійкість зарядженої краплі
2.4 Сучасні методи розрахунку енергетичних властивостей кластерів

3 МОДЕЛЬНІ РОЗРАХУНКИ ХАРАКТЕРИСТИК КЛАСТЕРІВ
3.1 Функціональне розкладання енергії зарядженого кластера
3.2 Енергетичний спектр електронів. Теорія збурень
3.2.1 Кластер - паралелепіпед
3.2.2 Сферично симетричні кластери
3.2.3 Кластери дископодібної форми
3.3 Електрична ємність кластерів різної форми
3.4 Еволюція потенціалу іонізації зі зміною форми кластера
3.5 Розмірна і температурна залежності хімічного потенціалу електронів

4 ЗАРЯДОВІ І РОЗМІРНІ ЕФЕКТИ В КЛАСТЕРНИХ СИСТЕМАХ
4.1 Кулонівський вибух заряджених кластерів
4.1.1 Електростатичний підхід
4.1.2 Негативно і позитивно заряджені кластери. Квазікласичне наближення
4.1.3 Розрахунки критичних розмірів заряджених квантових кластерів
4.2 Взаємозарядка і електрострикція кластерів у нанокомпозитах
4.3 Упорядкований нанокомпозит: феромагнетик у полімерній матриці
4.3.1 Функціонал енергії. Рівняння Ландау-Ліфшиця
4.3.2 Розрахунок магнітних характеристик
4.4 Самоорганізація кластерної плазми пари металів
4.4.1 Іонізаційна рівновага В кластерній плазмі
4.4.2 Розрахунок провідності кластерної суміші
4.5 Електрони і позитрони в діелектричних кластерах
4.5.1 Енергія основного стану, ефективна маса електронів і позитронів В рідинах
4.5.2 Нейтральні кластери благородних газів
4.5.3 Критичні розміри заряджених кластерів
Основні питання до розділу
Практична частина
Питання до практичної частини

5 ОДНОЕЛЕКТРОННІ ПРИЛАДИ
5.1 Найпростіші одноелектронні прилади
5.1.1 Демонстрація тунельного переходу
5.1.2 Одноелектронний “ЯЩИК”
5.1.3 ОЦІНКИ і можливе застосування
5.2 Одноелектронний транзистор (ОЕТ)
5.2.1 Експериментальні приклади
5.2.2 Схемотехнічний розгляд роботи ОЕТ
5.3 Теорія одноелектронних ефектів В тунельних структурах
5.3.1 Попередній аналіз і постановка задачі
5.3.2 Тунельна структура до прикладення різниці потенціалів
5.3.3 Структура під напругою
5.3.4 Кулонівська нестійкість кластера в електричному полі
5.3.5 Основні енергетичні і кінетичні співвідношення .
5.3.6 Розрахунок ваг структури на металевій квантовій точці
Практична частина

6 СПЕКТРОСКОПІЯ НИЗЬКОРОЗМІРНИХ СИСТЕМ
6.1 ЕКСИТОНИ В напівпровідниках
6.2 ЕКСИТОНИ В структурах із квантовими ямами
6.3 ЕКСИТОН у надгратках, нитках і точках
6.4 Інженерія: самоорганізація квантових точок
6.5 Електромагнітне поглинання металевими квантовими точками
6.6 Енергетика плівок і ниток
6.6.1 Розмірна залежність роботи виходу
6.6.2 Осциляції сили
6.6.3 Результати обчислень для ізольованої плівки
6.6.4 Квантовий зразок у “точковому” контакті
6.7 Оптична прозорість нанометрових металевих плівок в інфрачервоному діапазоні
6.7.1 Наближення діагонального відгуку
6.7.2 Діелектрична функція і коефіцієнт поглинання
6.7.3 Результати обчислень фотопровідності і поглинання
6.8 Застосування квантових структур
Основні питання до розділу

7 ПРОБЛЕМА КУЛЬОВОЇ БЛИСКАВКИ
7.1 Дані спостережень кульової блискавки (КБ)
7.2 Аналіз даних із спостережень КБ
7.3 Фрактальні явища і першопричини КБ
7.4 Фрактальний клубок
Основні питання до розділу

8 ОСНОВИ ТЕОРІЇ АТОМНИХ ЗІТКНЕНЬ
8.1 Загальні відомості
8.2 Елементи теорії розпилювання
8.3 Теорія атомних зіткнень: загальні співвідношення
8.4 Розпилювання за рахунок ЛІНІЙНИХ каскадів зіткнень
8.5 Напівнескінченна мішень: розпилення
8.6 Розпилення багатокомпонентних мішеней
Практична частина
Основні питання до розділу

9 ФІЗИЧНІ ОСНОВИ МЕТОДУ МОЛЕКУЛЯРНОЇ ДИНАМІКИ
9.1 Основні положення
9.2 Потенціали міжатомної взаємодії
9.3 Модельний приклад
9.4 Розпилення кластерів CUN на Cu-підкладинці: аналіз
Практична частина
Основні питання до розділу

10 ВЗАЄМОДІЯ ІОНІВ З ОДНОКОМПОНЕНТНИМИ КРИСТАЛАМИ
10.1 Квазістабільні моделі кристалів. Двовимірний випадок.
10.2 Моделі стабільних кристалів. Генерація точкових дефектів
Основні питання до розділу

11 ВЗАЄМОДІЯ ІОНІВ З ДВОШАРОВИМИ МІШЕНЯМИ
11.1 Дефекти в двошарових кристалах Л1/№ та №/Л1 при 0 К
11.2 Генерація точкових дефектів у кристалі Л1/№ при 300 К
11.3 Контрольні питання

12 МАСОПЕРЕНЕСЕННЯ ПІД ДІЄЮ ІОННОГО БОМБАРДУВАННЯ
12.1 Стан проблеми
12.1.1 Огляд моделей іонного перемішування
12.2 Дифузійне наближення
12.3 Атомні каскадні переміщення В кристалі Си
12.3.1 Переміщення атомів віддачі при температурі кристала 0 К
12.3.2 Коефіцієнт перемішування, середня ШВИДКІСТЬ дрейфу атомів віддачі та релокаційна функція при бомбардуванні Си(100) іонами Аг і Хе З енер¬гією 100 еВ і температурі кристала 0 К
12.3.3 Моделювання пошарового іонного профілювання
12.3.4 Каскадні переміщення атомів при підвищених температурах
12.3.5 Поширення псевдомаркера В Си при іонному перемішуванні
12.3.6 Каскадні переміщення В Си поблизу від порогу розпилення
12.4 АТОМНІ каскадні переміщення В N1 і А1 при температурі 0 К
12.5 Каскадні переміщення атомів В №/А1 і А1/№ при температурі 0 К
12.5.1 Двошарова система А1/№
12.5.2 Двошарова система №/А1
12.5.3 Особливості атомних переміщень у кристалах Л1/№ І №/Л1
12.5.4 Особливості охолоджєння каскадів
12.6 Каскадні переміщення атомів В ЛІ, N1 і Л1/№ при 300 К
12.6.1 Кількість переміщень атомів віддачі при 0К і 300 К
12.6.2 Каскади В N1 і А1/№ при 300 К ДЛЯ іонів АГ і Хе 25 і 50 еВ
12.6.3 Переміщення атомів при бомбардуванні А1 іонами Хе
12.6.4 Переміщення атомів у А1 на стадії зіткнень каскаду при температурах від 0 К ДО 500 К
12.6.5 Атоми віддачі В N1 при енергії іонів АГ 100 еВ і температурі 750К
12.6.6 Перемішування В кристалі N1 при енергії іонів АГ 100 еВ і температурі 750 К
Основні питання до розділу

13 РОЗРАХУНКОВІ МОДЕЛІ РОСТУ ТОНКИХ ПЛІВОК
13.1 Дифузійна модель росту плівок
13.2 Алгоритми розрахунку для дифузійної моделі, результати моделювання
13.2.1 Чисельні рівняння
13.2.2 Алгоритм розв’язання системи
13.2.3 Результати розрахунків
13.3 Моделювання сполук: оксиди
13.3.1 Математична модель
13.3.2 Результати моделювання
13.4 Структуровані плівки: віскери
Основні питання до розділу

14 НАПИЛЮВАННЯ І РОЗПИЛЕННЯ: НАНОТЕХНОЛОГІЇ
14.1 Сучасний стан проблеми
14.2 Взаємодія прискорених кластерів поверхнею твердого тіла
14.2.1 Основні характеристики
14.2.2 Процеси поверхневої модифікації
14.2.3 Приповерхнева імплантація
14.2.4 Ріст тонких плівок
14.2.5 Масиви поверхневих кластерів
14.3 Емісія кластерів при розпиленні
14.4 Розпилення нанорозмірних мішеней
Основні питання до розділу

Післямова. Наноелектроніка?
Список літератури
Предметний покажчик
У першій частині підручника дано огляд сучасного стану нанотехнологій та наноелектроніки. Викладаються результати теоретичних досліджень поверхні; термодинамічних і електрофізичних характеристик кластерів атомів і кластерів вакансій; кінетичних і рівноважних властивостей низькорозмірних систем і кластерної плазми пари металів; процесів розсіювання і локалізації позитронів у металах, рідинах і кластерах.
Послідовно описані деформаційна і температурна залежності роботи виходу електронів, розмірний ефект потенціалу іонізації й енергії прилипання, поверхневого натягу; локалізованих станів позитронів, які можуть бути використані при вивченні процесів конденсації, випарювання, тензоемісійних ефектів, а також діагностики радіаційних або рівноважних дефектів різних середовищ. Розглянуто оптичні і магнітні властивості наноплівок і нанокомпозитів. Описано кулонівські та квантові ефекти в одноелектронних транзисторах на кластерних структурах. Наведено чимало прикладів використання квантових малорозмірних структур. Автори знайомлять читача з проблемою кульової блискавки.
В другій частині підручника представлені сучасні методи моделювання нанооб’єктів, таких як тонкі атомні прошарки і плівки, поверхневі нанокластери, фуллерени і нанотрубки. Розглядаються основні процеси масоперенесення, що супроводжують взаємодію іонних енергетичних пучків з твердотільними поверхнями, а саме, розпилення, перемішування, радіаційно-прискорена дифузія. Обговорюються також методи моделювання технологічних процесів створення і контролю нанооб’єктів: іонний пошаровий аналіз, осадження тонких плівок. В основу розгляду покладено класичний метод молекулярної динаміки, а також рівняння масоперенесення в неперервному середовищі, що включають опис перемішування та дифузії по радіаційним точковим дефектам. У деяких випадках результати молекулярно-динамічного моделювання розпилення, атомних перескоків і утворення точкових дефектів у кристалічній решітці під дією іонів, що бомбардують, використовувалися для розв’язання інтегро-диференціальних рівнянь масоперенесення, що дозволяло враховувати термічні стадії каскадів зіткнень в результуючих потоках атомів в секундному діапазоні реального часу.
Використовуються як аналітичні та напівкількісні методи дослідження (наводяться модельні оцінки, вивчаються асимптотики розмірно залежних фізичних величин), так і трудомісткі чисельні методи.
Для здійснення активних дій на порталі,
необхідно бути зареєстрованим користувачем
Сторінки для вільного читання відсутні.

Відгуки відсутні.

Відгуки можуть залишати лише зареєстровані користувачі порталу.

Представтесь:

e-mail:

телефон:

додаткова інформація:

ПРИМІТКА: У разі виникнення складнощів при скачуванні матеріалу по одному із посилань, просимо повідомити нас у формі зворотного зв'язку або ж на e-mail: vse.zakaz@gmail.com вказавши КОД роботи.
© 2011-2019
Усі права застережені
ЕЛЕКТРОНІКА: готові роботи книги | про проект ЧаПи зворотній зв’язок